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Transistores de aleación. Este tipo
de transistor es uno de los primeros de unión que fue elaborados por medio de
germanio fundido. Luego se crearon transistores de aleación de silicio. Para
obtener monocristales al momento de fabricar los
transistores
se utiliza el método de Czochralski como ayuda. Con este método se introduce
impureza donantes en el crisol mientras el monocristal va aumentando de tamaño
hasta convertirse en el germanio tipo N o tipo P para la base. Luego de alcanzar
el grosor apropiado de la base, se le adiciona más impurezas aceptadoras para
regresar de nuevo al germanio tipo P.
Luego de obtener el monocristal primero se corta en rodajas perpendiculares al
plano de la base y luego se cortan todas las rodajas para crear los transistores
individuales. El método de Czochralski permite elaborar regiones de base muy
delgadas. Ahora bien, la elección del dopante es muy importante; esta no se debe
difundir en el germanio, pues quien define la región de base es la concentración
de impurezas y al no difundirse el dopante en el germanio se cortocircuita la
base inhabilitando el transistor. [ Equipo
arquitectura y construcción de
ARQHYS.com ].
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