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Así el enlace atómico depende del número de electrones de
valencia de los átomos formantes del enlace y de la electronegatividad de los
mismos. Los electrones de la capa externa o electrones de valencia son los que
determinan y forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar el
carácter conductivo o no de él. En un semiconductor formado por dos elementos
químicos diferentes (Arseniuro de Galio) la asimetría conlleva en general una
cierta pérdida de carácter covalente puro, en el sentido de desplazar el centro
de gravedad de la carga hacia uno u otro átomo. El parámetro que determina este
desplazamiento es la electronegatividad de los átomos constituyentes. Cuanto más
diferente sea, mayor será el desplazamiento y el enlace será más iónico que
covalente.
La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque
puede visualizarse mediante superposición de estructuras más sencillas. La
estructura más común es la del diamante, común a los semiconductores Si y Ge, y
la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. En estas redes cristalinas
cada átomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes con
simetría tetraédrica. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas
únicas, es decir, que sea monocristal. Dependiendo de cómo se obtengan éste
puede presentarse en forma de monocristal, policristal y amorfo. El
comportamiento electrico de los materiales semiconductores (resistividad y
movilidad) así como su funcionamiento depende de la estructura cristalina del
material de base, siendo imprescindible la forma monocristalina cuando se
requiere la fabricación de circuitos integrados y dispositivos electroópticos
(láser, leds).
En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenómeno de las
colisiones de los portadores con otros portadores, núcleos, iónes y vibraciones
de la red, disminuye la movilidad. Ello guarda relación con el parametro de la
resistividad (o conductividad) definido como la facilidad para la conducción
eléctrica, depende intrínsecamente del material en cuestión y no de su geometria.
Así pues en los fenómenos detransporte en semiconductores y a diferencia de los
metales, la conducción se debe a dos tipos de portadores, huecos y electrones. (Articulo
enviado por: Juan Tapia Rodriguez,
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